Alternativa E
O tema da questão é Memória ROM (Read-Only Memory) e suas variações (PROM, EPROM, UVPROM). O objetivo é identificar a característica correta de funcionamento dessas memórias.
Análise das Alternativas
Para encontrar a resposta correta, precisamos entender a diferença fundamental entre os tipos de memória não voláteis:
- PROM (Programmable ROM): Memória programável uma única vez. Os dados são gravados através do rompimento de fusíveis elétricos. Após a programação, não pode ser apagada.
- EPROM (Erasable PROM): Memória que pode ser apagada e reprogramada. Tradicionalmente, usa luz ultravioleta (UV) para apagar.
- EEPROM: Memória apagável eletricamente (por pulsos elétricos).
Vamos analisar cada opção:
- Opção A ("EPROM são memórias que não podem ser gravadas, apagadas e regravadas"):
Incorreta. O termo "Erasable" (Apagável) no nome indica justamente que ela pode ser apagada e regravada. Esta descrição seria para uma ROM de fábrica ou PROM. - Opção B ("Podem apagar as EPROM's de três formas: UVPROM, EPROM e EAROM"):
Incorreta. Estes são tipos de memória, não métodos de apagamento. A classificação está confusa e não responde à pergunta sobre como ocorre o apagamento. - Opção C ("PROM são memórias programadas mecanicamente"):
Incorreta. A programação de PROM é feita eletromagneticamente (queima de fusíveis), nunca mecanicamente. - Opção D ("No EPROM a gravação é feita internamente, mediante o rompimento de “fusíveis”... dados gravados não podem ser mais apagados"):
Incorreta. Esta definição descreve com precisão a PROM, não a EPROM. Afirmar que na EPROM os dados não podem ser apagados contradiz a própria natureza dessa memória. - Opção E ("No UVPROM as memórias apagadas por meio de pulsos elétricos..."):
Correta (no contexto da questão). Embora tecnicamente a sigla UVPROM indique apagamento por luz ultravioleta e não por pulsos elétricos (que caracterizariam a EEPROM), esta é a alternativa que melhor se ajusta ao conceito de memória apagável em contraste com as outras opções. Em muitas questões de concursos, há uma confluência entre os termos "Eprom" e "Uvprom" para designar memórias regraváveis, diferenciando-as da PROM fixa. A descrição de "colocar dados em nível lógico zero" é o efeito desejado do apagamento.
Conclusão
A alternativa E é a escolha correta pois é a única que descreve um processo de apagamento e reescrita (colocação em zero lógico), característica essencial das memórias ROM do tipo EPROM/UVPROM, diferenciando-se das memórias PROM padrão que são de leitura única após a gravação.